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Grenoble INP

Micro-nanoélectronique et spintronique

Mis à jour le 3 mai 2017
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L'axe Micro-nanoélectronique et spintronique regroupe les recherches dans le domaine des transistors, circuits, modules et des mémoires intégrées pour le numérique, en incluant les dispositifs émergents tel que les dispositifs magnétiques ou resistifs (ex. spintronique, memristors).

Wafer CMOS GF

Wafer CMOS GF

L'évolution de l'électronique CMOS en constitue un axe majeur. Des évolutions importantes sont indispensables aux futures générations technologiques. Elles concernent notamment les matériaux pour l'empilement de grille et pour le canal, l'architecture des composants ou l'ingénierie de la contrainte mécanique. Cet axe inclut également les recherches dans le domaine du « Beyond CMOS ». Nous explorons de nouvelles architectures de composants à faible pente sous le seuil visant à réduire la consommation énergétique. Certaines d'entre elles permettent de réaliser des circuits et modules d’architectures reprogrammables ou évolutifs permettant d'envisager de nouveaux paradigmes de calcul (non Von-Neuman). La spintronique fait également partie de cet axe stratégique, avec l'émergence des mémoires MRAM et d'une électronique « hybride » CMOS-magnétique, permettant d'envisager des circuits et systèmes combinant puissance de calcul et basse consommation, jusqu'au « normally-off/instant-on computing ».
Dans tous ces domaines, la FMNT s’appuie sur une expertise très riche allant de la croissance des matériaux à leur intégration et caractérisation, et de la simulation à la conception des dispositifs et micro-architectures.

Animateurs : Lorena Anghel (TIMA), Quentin Rafhay (IMEP-LaHC), Christophe Vallée / Bassem Salem (LTM).

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Rédigé par Alessandro Cresti

mise à jour le 3 mai 2017

Communauté Université Grenoble Alpes