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ATELIER DEPOT SELECTIF par ALD

Publié le 1 juillet 2019
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27 septembre 2019

En association avec l'axe "Microélectronique" de la FMNT, ATELIER DÉPÔT SÉLECTIF par ALD

Dépôt de TiO2 uniquement sur des surfaces métalliques (TiN). Les autres surfaces sont à base de Si (SiO2, SiN et Si) sans dépôt dessus

Dépôt de TiO2 uniquement sur des surfaces métalliques (TiN). Les autres surfaces sont à base de Si (SiO2, SiN et Si) sans dépôt dessus

ATELIER DÉPÔT SÉLECTIF par ALD
27 septembre 2019 – MINATEC


Les technologies des transistors 2D FDSOI et 3D FinFETs et Stacked NanoWires (SNW) requièrent des nouveaux designs et matériaux qui font des étapes d’intégration un véritable challenge technologique. Une solution pour simplifier l’intégration est d’utiliser une approche bottom-up basée sur l’ALD via le développement d’un procédé de dépôt par croissance sélective (ASD- Area Selective Deposition). Ce procédé est aujourd’hui identifié comme solution de rupture pour les futures générations d’espaceurs, hard mask, gap filling…. Au-delà de ces applications, savoir localiser et croitre préférentiellement une couche mince sur une surface donnée ou dans une direction donnée apparait donc comme un véritable enjeu scientifique et économique.
La croissance sélective par ALD repose sur une interaction contrôlée entre un précurseur et une surface donnée. Il est donc important de savoir pourquoi et comment faire pour qu’un ligand réagisse ou ne réagisse pas vis-à-vis d’une chimie de surface. Cette croissance sélective inhérente au procédé ALD n’est souvent pas suffisante et il est nécessaire alors d’ajouter des paramètres externes comme la pré-localisation de SAM (Self-Assembled Monolayers) sur la surface ou l’ajout d’une étape de gravure dans un cycle ALD (approche dépôt/gravure).
Les objectifs de cette journée sont (i) d’initier un certain nombre de personnes à la croissance sélective par ALD (définition, les approches, les applications potentielles) et (ii) de développer un groupe de travail permettant de mieux appréhender des points critiques comme l’interaction précurseur/surface et de définir des nouvelles applications et challenges pour la croissance sélective. Le public concerné par cet atelier est à la fois académique (chercheurs et EC, doctorants, étudiants de masters) mais aussi industriel. L’inscription est gratuite mais le nombre de places est limité à 50.

Planning de la journée
8h30 Accueil / 9h-9h15 Introduction
9h15 - 10h30 : Description du procédé ALD et interaction précurseur / surface
- Principe de l’ALD par Arnaud Mantoux (SIMAP - CNRS/UGA/INP)
- Assistance plasma pour ALD par Marceline Bonvalot (LTM - CNRS/UGA)
- Les précurseurs et leur interaction avec une surface par Jean-Marc Girard (Air Liquide)
10h45 - 12h : Différentes approches pour différentes croissances sélectives
- Les différentes approches pour l’ASD par ALD par Christophe Vallée (LTM - CNRS/UGA)
- Les équipements industriels par Rémy Gassilloud (CEA-LETI)
- Croissance sélective par ALD spatiale par David Muñoz-Rojas (LMGP - CNRS/INP)
12h - 13h30 Pause repas
13h30 - 14h45 : Que sait-on des autres procédés sélectifs
- L’épitaxie sélective par Jean-Michel Hartmann (CEA-LETI)
- La gravure sélective ALE par Nicolas Posseme (CEA-LETI)
- Le dépôt sélectif par PECVD/RIE par Erik Johnson (LPICM-CNRS/Ecole Polytechnique)
15h - 15h45 : Les applications possibles des différentes croissances sélectives (simplification des schémas d’intégration, applications en microélectronique, applications pour les LEDs…)
- Tour d’horizon des applications par Christophe Vallée (LTM - CNRS/UGA)
- Le dépôt sélectif pour applications LEDs par Tony Maindron (CEA-LETI)
16h - 17h00 Table ronde/discussion création d’une force de travail sur le dépôt sélectif / Fin de l’atelier

Inscription : https://forms.gle/JisWPRCWGwQLgS6u8

Comité d’organisation : M. Bonvalot (LTM), R. Gassilloud (CEA), T. Maindron (CEA), A. Mantoux (SIMAP), D. Muñoz-Rojas (LMGP), C. Vallée (LTM)
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mise à jour le 1 juillet 2019

Univ. Grenoble Alpes