Historique
Les laboratoires de recherche Grenoblois travaillant dans le domaine de la microélectronique et des nanotechnologies sont engagés depuis de nombreuses années dans une démarche collaborative.
Dès 1999, le CPMA (Centre de Projet en Microélectronique Avancée) permettait aux laboratoires Rhône-Alpins de développer des projets de recherche en collaboration avec le CEA/LETI. Ces relations ont fait apparaître le besoin de mieux coordonner les laboratoires académiques, ce qui s’est traduit par la création de la fédération FMNT-RA (FR 2542), créée et dirigée par Gérard Ghibaudo de 2002 à 2004 puis par Olivier Joubert. La FMNT-RA associait alors l’IMEP, le LPM, le LMGP, le LPM, SPINTEC et le LTM. Avec l’évolution des politiques locales et régionales, cette fédération a été renouvelée ensuite en 2007 et en 2011 sous forme d'une fédération des laboratoires académiques travaillant sur le pôle MINATEC (IMEP-LAHC, LTM, LMGP, SPINTEC jusqu’en 2006, ainsi que l’équipe microsystèmes magnétiques du G2Elab à partir de 2007), sous les directions successives d’Olivier Joubert, Ahmad Bsiesy et Mireille Mouis. Depuis 2021, la FMNT est dirigée par Alain Sylvestre et regroupe 7 laboratoires.
Cette longue tradition de concertation s’est traduite notamment par la création de la plateforme technologique de Grenoble (PTA) et son inscription dans le réseau Renatech du CNRS en 2007.
La politique d’animation scientifique menée au sein de la fédération a permis également de faire émerger des recherches transverses qui se sont concrétisées par des contributions conjointes des laboratoires partenaires et la coordination de grands projets européens, non seulement en nanoélectronique «More Moore» (Réseau d'excellence FP6/ Sinano) mais également aux points de convergence entre «More Moore» et «Beyond CMOS» (Réseau d'excellence FP7/Nanosil sur l’exploitation des propriétés des nanostructures pour la nanoélectronique) et à la convergence entre «Beyond CMOS» et «More than Moore» (Réseau d'excellence FP7/NanoFunction pour l’exploitation des propriétés des nanostructures pour les applications dans le domaine des capteurs, de la récupération d’énergie, du refroidissement local et de la RF).
Plus récemment, le LabEx MINOS (Minatec novel devices scaling) regroupe les activités de laboratoires de la FMNT et du CEA/LETI sur la nanoélectronique avancée. Il prépare les futures générations de transistors et de mémoires, jusqu’aux nœuds technologiques CMOS sub-11nm. ceci inclut notamment les technologies FD-SOI, les transistors MOS III-V sur substrat silicium ou intégrant des matériaux bidimensionnels, les composants à effet tunnel ou les mémoires résistives.
De nouvelles actions sont en cours dans le cadre du programme H2020 de la CE.
Cette longue tradition de concertation s’est traduite notamment par la création de la plateforme technologique de Grenoble (PTA) et son inscription dans le réseau Renatech du CNRS en 2007.
La politique d’animation scientifique menée au sein de la fédération a permis également de faire émerger des recherches transverses qui se sont concrétisées par des contributions conjointes des laboratoires partenaires et la coordination de grands projets européens, non seulement en nanoélectronique «More Moore» (Réseau d'excellence FP6/ Sinano) mais également aux points de convergence entre «More Moore» et «Beyond CMOS» (Réseau d'excellence FP7/Nanosil sur l’exploitation des propriétés des nanostructures pour la nanoélectronique) et à la convergence entre «Beyond CMOS» et «More than Moore» (Réseau d'excellence FP7/NanoFunction pour l’exploitation des propriétés des nanostructures pour les applications dans le domaine des capteurs, de la récupération d’énergie, du refroidissement local et de la RF).
Plus récemment, le LabEx MINOS (Minatec novel devices scaling) regroupe les activités de laboratoires de la FMNT et du CEA/LETI sur la nanoélectronique avancée. Il prépare les futures générations de transistors et de mémoires, jusqu’aux nœuds technologiques CMOS sub-11nm. ceci inclut notamment les technologies FD-SOI, les transistors MOS III-V sur substrat silicium ou intégrant des matériaux bidimensionnels, les composants à effet tunnel ou les mémoires résistives.
De nouvelles actions sont en cours dans le cadre du programme H2020 de la CE.