Electrique

Caractérisation électrique de matériaux et de dispositifs, extraction de paramètres et analyse des résultats à partir de modélisation et de simulation physiques.

• Caractérisation électrique élémentaire sous pointes (IV, It, CV, Gw, effet Hall) sur couches minces et composants : Semiconducteurs, hétérojonctions, MOS, mémoires, nano composites, matériaux nano structurés et fonctionnalisés (bio, PV, quantique …)
• Extraction de paramètres sur transistors MOS (Vth, µ, Vfb, S, q1, q2, Nss …) et bipolaires (gain) à partir de mesures IdVd, Id-Vg (staircase ou pulsées), Ic-Ib, gm-Vg, Fonction Y, Parasitic Elements, Split C-V, bruit 1/f, RTS. Possibilité d’analyse statistique (variabilité) sur plaques et étude de vieillissement.

 

• Caractérisation de surface et d’interface (Atomic Force Microscopy, Secondary Harmonic Generation, PseudoMOS (technologie SOI))
• Détermination des états d’interface sur composants (Pompage de charges, Capacité à basses et hautes fréquences – Méthode de Terman)
• Caractérisation électrique localisée à l’échelle nanométrique (Nanowire, Nanodots, NEMs…) : Conductive AFM, PiezoResponse…
• Possibilité d’étendre les caractérisations en fonction d’autres variables (champ magnétique ou optique et température (voir section « Basse / Haute température »))

 

Liste des équipements disponibles :

Les dispositifs peuvent être testés directement sous pointes et alors être packagés sous boîtiers spécifiques (DIL,LCC… voir section « Packaging et mise en forme »).

• 3 stations manuelles de test sous pointes (plaque de diamètre max de 200mm)
• Station semiautomatique de test sous pointes Elite 300 (plaque jusqu’à 300mm de diamètre) : mesures à très faibles courants (1 fA) et capacités (fF).
• Mesures 4 pointes pseudo MOS
• Mesure Effet Hall sous pointes : résistivité mesurable de quelques 108 Ω.cm à 102 Ω.cm et concentration de porteurs de 1015 cm3 à 1021 cm3.
• Analyseurs de paramètres à semiconducteurs : tension jusqu’à +-100V, courant mesurable de 100fA à 100 mA (possible jusqu’à 1A avec le Keysight B1500A)
• Analyseurs d'impédance : tension jusqu’à +40V
• Système de mesure CV quasi statique
• Pompage de charge
• DLTS
• Banc de caractérisation semiautomatique très bas bruit
• Analyseurs de réseaux vectoriels <100 kHz
• Prototype SHG
• Banc de flexion mécanique 4 points
• AFM avec modes électriques (Conductive, EFM, KFM...)

Une grande partie des équipements mentionnés ci-dessus sont automatisés via des programmes fonctionnant sous Labview, ces derniers pouvant être adaptés aux besoins du demandeur.