Basse Température

Caractérisation électrique à basses et « hautes » températures

Etude en température des matériaux et dispositifs pour analyse des mécanismes physiques

  • Caractérisation électrique élémentaire sous pointes ou boîtiers (IV, It, CV, Gw) de couches minces et composants de 10K à 400K (ainsi qu'en température ambiante). Etude du transport des porteurs de charge (effet limitant la mobilité, hopping, effet Tunnel…)
  • Mesure d’effet Hall sur matériaux semiconducteurs (mobilité, résistivité & dopage) et mesure de magnétorésistances sur structures multicouches (confinement des porteurs) et transistors nanométriques (mobilité)
  • Spectroscopie de défauts profonds et Dit (Gw, DLTS)Liste de équipements :

Liste des équipements disponibles :


Les dispositifs peuvent être testés directement sous pointes et alors être packagés sous boîtiers spécifiques (DIL,LCC… voir section « Packaging et mise en forme »).

  • Station Cryogénique Suss Microtec PMC150 sous pointes : équipement acceptant des plaques jusqu’à 200mm de diamètres, gamme de température comprise entre 10K et 400K ; Outre les mesures IV et CV, possibilité d’effectuer des mesures radiofréquences grâce à la présence de 2 sondes GSG de fréquence maximale 50 GHz et de pitch 100µm
  • Station semiautomatique 300mm sous pointes permettant d’appliquer une température comprise entre 25°C et 300°C.
  • Mesure effet Hall sous pointes afin de remonter à la résistivité, mobilité et concentration des porteurs des matériaux pour une gamme de température variant de 20K à 325K.
  • 3 cryostats pour mesure sur dispositifs encapsulés (DIL) de 10K à 425K. Mesures IV et CV.
  • Banc de mesures de magnétorésistance Lakeshore sous boîtiers LCC : température comprise entre 3K et 325K et champ magnétique applicable jusqu’à 9T.
  • Banc de mesures DLTS de 40K à 300K sur des dispositifs encapsulés sous boîtiers spécifiques.


Beaucoup de mesures cryogéniques sont automatisées via des programmes sous Labview qui peuvent être customisés selon les besoins du demandeur.